Zobrazeno 1 - 10
of 313
pro vyhledávání: '"solution‐gated field‐effect transistors"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Santos, Fabrício A. dos, Vieira, Nirton C.S., Zambianco, Naiara A., Janegitz, Bruno C., Zucolotto, Valtencir
Publikováno v:
In Applied Surface Science 30 March 2021 543
Publikováno v:
In Procedia Engineering 2016 168:469-472
Autor:
Hess, Lucas H., Hauf, Moritz V., Seifert, Max, Speck, Florian, Seyller, Thomas, Stutzmann, Martin, Sharp, Ian D., Garrido, Jose A.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 99, 033503 (2011)
In this work, we report on the electronic properties of solution-gated field effect transistors (SGFETs) fabricated using large-area graphene. Devices prepared both with epitaxially grown graphene on SiC as well as with chemical vapor deposition grow
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1105.6332
Autor:
Butko, A. V.1 (AUTHOR), Butko, V. Y.1 (AUTHOR) vladimirybutko@gmail.com, Lebedev, S. P.1 (AUTHOR), Lebedev, A. A.1 (AUTHOR), Davydov, V. Y.1 (AUTHOR), Eliseyev, I. A.2 (AUTHOR), Kumzerov, Y. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 12/7/2020, Vol. 128 Issue 21, p1-8. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bedoya, Mauricio David
Graphene is a promising material for chemical sensing applications and many studies have focused on incorporating graphene into \sgfet s sensors. The purpose of this work is to get a deeper understanding of the physics governing the surface interacti
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/54444
Autor:
Mailly-Giacchetti, Benjamin1, Hsu, Allen2, Wang, Han2, Vinciguerra, Vincenzo3, Pappalardo, Francesco3, Occhipinti, Luigi3, Guidetti, Elio4, Coffa, Salvatore3, Kong, Jing2, Palacios, Tomás2
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. Aug2013, Vol. 114 Issue 8, p084505. 6p.