Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"smart-cut technology"'
Autor:
Cheol-Min Lim, Ziqiang Zhao, Kei Sumita, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 612-617 (2021)
We have systematically examined electrical characteristics of ultra-thin body (UTB) (111) Ge-on-insulator (GOI) n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (nMOSFETs) fabricated by the smart-cut process and have compared their electr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e51415e908564dd799aec2f6595ccb0f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2015, 118 (24), pp.245301-135308. ⟨10.1063/1.4938108⟩
Journal of Applied Physics, 2015, 118 (24), pp.245301-135308. ⟨10.1063/1.4938108⟩
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2015, 118 (24), pp.245301-135308. ⟨10.1063/1.4938108⟩
Journal of Applied Physics, 2015, 118 (24), pp.245301-135308. ⟨10.1063/1.4938108⟩
cited By 2; International audience; We have studied the effect of reducing the implantation energy towards low keV values on the areal density of He and H atoms stored within populations of blister cavities formed by co-implantation of the same fluen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::31e4b3257679fad9a7946d415f919751
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01719496
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01719496
Autor:
Escobar Forhan, Neisy Amparo
Esta pesquisa engloba o estudo e desenvolvimento de novas heteroestruturas semicondutoras, tomando como base as estruturas SOI (Silicon-On-Insulator - silício sobre isolante) obtidas pela técnica Smart Cut, estudadas nestes últimos anos no Departa
Autor:
Neisy Amparo Escobar Forhan
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
Esta pesquisa engloba o estudo e desenvolvimento de novas heteroestruturas semicondutoras, tomando como base as estruturas SOI (Silicon-On-Insulator - silício sobre isolante) obtidas pela técnica Smart Cut, estudadas nestes últimos anos no Departa
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.