Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"single-hole transistors"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 54-59 (2023)
We report the fabrication and electrical characterization of single-hole transistors (SHTs), in which a Ge spherical quantum dot (QD) weakly couples to self-aligned electrodes via self-organized tunnel barriers of Si3N4. A combination of lithographic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/46910e4c4f744a8584fa2352b1e199e8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Llobet Sixto, Jordi
Publikováno v:
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
TDR. Tesis Doctorales en Red
instname
TDR. Tesis Doctorales en Red
instname
La tesi doctoral titulada “Focused ion beam implantation as a tool for the fabrication of nano electromechanical devices” aborda el repte de la fabricació de ressonadors nano-mètrics des d’una nova òptica basada en la implantació iònica mi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::367aff91794e89a31338a84847c291f7
http://hdl.handle.net/10803/384934
http://hdl.handle.net/10803/384934
Autor:
Llobet Sixto, Jordi, Krali, Emiljana, Wang, Chen, Arbiol i Cobos, Jordi, Jones, Mervyn E., Pérez Murano, Francesc, Durrani, Zahid A. K., ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró
Publikováno v:
Recercat: Dipósit de la Recerca de Catalunya
Varias* (Consorci de Biblioteques Universitáries de Catalunya, Centre de Serveis Científics i Acadèmics de Catalunya)
Recercat. Dipósit de la Recerca de Catalunya
instname
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona
Varias* (Consorci de Biblioteques Universitáries de Catalunya, Centre de Serveis Científics i Acadèmics de Catalunya)
Recercat. Dipósit de la Recerca de Catalunya
instname
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona
Suspended silicon nanowires have significant potential for a broad spectrum of device applications. A suspended p-type Si nanowire incorporating Si nanocrystal quantum dots has been used to form a single-hole transistor. Transistor fabrication uses a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c51aad8eb662f22be769047eb2d00705
https://ddd.uab.cat/record/200186
https://ddd.uab.cat/record/200186
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.