Zobrazeno 1 - 10
of 245
pro vyhledávání: '"single-hole transistors"'
Autor:
Hong, Po-Yu1 (AUTHOR), Lai, Chi-Cheng1 (AUTHOR), Tsai, Ting1 (AUTHOR), Lin, Horng-Chih1 (AUTHOR), George, Thomas1 (AUTHOR), Kuo, David M. T.2 (AUTHOR), Li, Pei-Wen1 (AUTHOR) pwli@nycu.edu.tw
Publikováno v:
Scientific Reports. 11/18/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-7. 7p.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 54-59 (2023)
We report the fabrication and electrical characterization of single-hole transistors (SHTs), in which a Ge spherical quantum dot (QD) weakly couples to self-aligned electrodes via self-organized tunnel barriers of Si3N4. A combination of lithographic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/46910e4c4f744a8584fa2352b1e199e8
Autor:
Po-Yu Hong, Chi-Cheng Lai, Ting Tsai, Horng-Chih Lin, Thomas George, David M. T. Kuo, Pei-Wen Li
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 13, Iss 1, Pp 1-7 (2023)
Abstract We reported exciton binding-energy determination using tunneling-current spectroscopy of Germanium (Ge) quantum dot (QD) single-hole transistors (SHTs) operating in the few-hole regime, under 405–1550 nm wavelength (λ) illumination. When
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1c81b1163c9f4e6396b307f4ffb4e308
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
We reported few-photon detection and exciton binding-energy determination using tunneling-current spectroscopy of Ge-quantum dot (QD) single-hole transistors (SHTs) operating in the few-hole regime under 400 nm–1550 nm illumination. When the photon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60e263a8a94408886b0e69c8055e46e7
https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-2800256/v1
https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-2800256/v1
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5fc69f9ea8769258b3da20d44d6f4d8
https://doi.org/10.1109/edtm53872.2022.9798091
https://doi.org/10.1109/edtm53872.2022.9798091
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials March-June 2002 11(3-6):387-391
Publikováno v:
ETRI Journal; Dec2012, Vol. 34 Issue 6, p950-953, 4p