Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"single-crystal silicon carbide"'
Publikováno v:
Jin'gangshi yu moliao moju gongcheng, Vol 44, Iss 1, Pp 92-100 (2024)
The molecular dynamics model of nano-machining a single-crystal silicon carbide substrate with a diamond abrasive is established. The effect of scratch on the atomic removal process and the material removal mechanism of the scratch wall were studied,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/697644c83f6a4df78ee1f8678d2b0939
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 11, Iss 4, p 1783 (2021)
In this study, special ceramic grinding plates impregnated with diamond grit and other abrasives, as well as self-made lapping plates, were used to prepare the surface of single-crystal silicon carbide (SiC) wafers. This novel approach enhanced the p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f5b1dd81069a4d8a88b17c66626bc6ab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kabini, Jeaneth Thokozile
The solid-state interaction of palladium (Pd) with single crystal silicon carbide (6H- SiC) before and after annealing has been investigated using Rutherford backscattering spectrometry (RBS) in conjunction with RUMP simulation package, time-of-fligh
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2263/24750
http://upetd.up.ac.za/thesis/available/etd-05162013-161426/
http://upetd.up.ac.za/thesis/available/etd-05162013-161426/
