Zobrazeno 1 - 10
of 7 109
pro vyhledávání: '"single event upset (SEU)"'
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2016 64:199-203
Autor:
Ciani, Lorenzo, Catelani, Marcantonio
Publikováno v:
In Measurement August 2014 54:256-263
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability January 2025 164
Publikováno v:
2022 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems (DFT).
Autor:
Minji Bang, Jonghyeon Ha, Minki Suh, Dabok Lee, Minsang Ryu, Jin-Woo Han, Hyunchul Sagong, Hojoon Lee, Jungsik Kim
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 130347-130355 (2024)
The effects of single event upset (SEU) by alpha particles and heavy ions on the data flip of a 3 nm technology node gate-all-around (GAA) nanosheet field-effect transistor (NSFET) 6T static random-access memory (SRAM) cell was studied through techno
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c729c86dcf4b40dd8aafed6967dcc577
Publikováno v:
2021 IEEE International Conference on Wireless for Space and Extreme Environments (WiSEE).
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 2395:012015
Results of laser-induced single event upset testing of devices with embedded error correction codes are described. Specifically, the memory system, consisting of a Micron MT41K256M16TW-107 IT: P 32 Meg×16×8 banks Dual Dynamic Random Access Memories
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.