Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"silicon-based diode"'
Publikováno v:
Electronic Materials, Vol 4, Iss 2, Pp 95-109 (2023)
The effects of Fe-implantation on the electrical characteristics of Au/p-Si Schottky barrier diodes (SBDs) were studied using current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) techniques. The Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/91a515352c1a4df39cd81271b70d86ab
Publikováno v:
Heliyon, Vol 9, Iss 12, Pp e22793- (2023)
In this study, we investigated the effects of Zn doping on electrical properties and conduction mechanisms of n-silicon (n-Si) diodes using current-voltage (I–V) and capacitance-voltage-frequency (C–V–f) measurements. The results revealed that
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d0f8a5fd32524e86977b9122f2cba664
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronic Materials; Volume 4; Issue 2; Pages: 95-109
The effects of Fe-implantation on the electrical characteristics of Au/p-Si Schottky barrier diodes (SBDs) were studied using current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) techniques. The Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::2cd4dea571af033e8f8057a17c66168c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.