Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"silicon nanowire FET"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 400-408 (2021)
Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors (TIGFETs) are a promising alternative technology that aims to replace or complement CMOS at advanced technology nodes. In this paper, we extracted the parasitic and intrinsic capacitances of a silicon-n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ce9ad7328d474fedab9cfa4c4c81ea88
Publikováno v:
Biosensors, Vol 12, Iss 6, p 368 (2022)
In this paper, a potentiometric method is used for monitoring the concentration of glutamine in the bioprocess by employing silicon nanowire biosensors. Just one hydrolyzation reaction was used, which is much more convenient compared with the two-sta
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/978adf23db5441d4ac35d4ec560c89bd
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 400-408 (2021)
Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors (TIGFETs) are a promising alternative technology that aims to replace or complement CMOS at advanced technology nodes. In this paper, we extracted the parasitic and intrinsic capacitances of a silicon-n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::674a59ad96c1fa1201b6bd154a737154
https://ieeexplore.ieee.org/document/9393456/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9393456/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nanotechnology. 15:243-247
In this paper, we present a variability-aware 3-D mixed-mode device simulation study of Si gate-all-around (GAA) nanowire mosfet (NWFET)-based 6-T static random access memory (SRAM) bit-cell stability and performance considering metal-gate granularit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::449a3182c81c4839daa41cbbc5567e2d
https://doi.org/10.1109/tnano.2016.2515638
https://doi.org/10.1109/tnano.2016.2515638
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.