Zobrazeno 1 - 10
of 160
pro vyhledávání: '"silicon nanostructure"'
Autor:
Nishida Kentaro, Sasai Koki, Xu Rongyang, Yen Te-Hsin, Tang Yu-Lung, Takahara Junichi, Chu Shi-Wei
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 12, Iss 1, Pp 139-146 (2022)
In this paper, we theoretically and experimentally demonstrated photothermal nonlinearities of both forward and backward scattering intensities from quasi-perfect absorbing silicon-based metasurface with only λ/7 thickness. The metasurface is effici
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bb508fc6884a40cbabe820895ed594da
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
مجلة النهرين للعلوم الهندسية, Vol 22, Iss 4, Pp 323-328 (2019)
Surface reconstruction of silicon using lasers could be utilized to produce silicon nanostructures of various features. Electrochemical and photoelectrochemical etching processes of silicon were employed to synthesize nanostructured surface. Effects
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/af1f503931c44f4596adb1aa1c25ac34
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, B.D. Shanina, N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.S. Khromov
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 21, Iss 3, Pp 249-255 (2018)
We present the experimental and theoretical results of analysis of the optically- induced cyclotron resonance measurements carried out using the charge carriers in silicon (Si) nanostructures at 9 GHz and 4 K. Effective mass values for electrons were
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/df7fc51c4f194e9eae4a7f3adffde891
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 12, Iss 1, Pp 1-12 (2017)
Abstract Many potential applications of porous silicon nanowires (SiNWs) fabricated with metal-assisted chemical etching are highly dependent on the precise control of morphology for device optimization. However, the effects of key etching parameters
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2d422368d9fe45fba412e5c7a7de8186
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Falah A-H Mutlak
Publikováno v:
Iraqi Journal of Physics, Vol 15, Iss 32 (2019)
Porous silicon (PS) layers are prepared by anodization for different etching current densities. The samples are then characterized the nanocrystalline porous silicon layer by X-Ray Diffraction (XRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Fourier Transform I
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5c3dfe5990734ab9864eea4a3087fc7d