Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"silicon nanosandwich"'
Publikováno v:
St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics, Vol 14, Iss 4 (2021)
In order to determine the possibility of the phase control of terahertz (THz) radiation from silicon negative-U nanosandwich structures (NSS), as well as to describe the relationship of optical and electrical characteristics of these NSS, the room-te
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/37e2a6d8f30040c586d5f18c2a74d1f7
Publikováno v:
Modern Electronic Materials, Vol 3, Iss 1, Pp 40-49 (2017)
The results of studying the quantum conductance staircase of holes in one-dimensional channels obtained by the split-gate method inside silicon nanosandwiches that are the ultra-narrow quantum well confined by the delta barriers heavily doped with bo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/02db6ae08a364eafbaca78fc3a0775ce
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
�� ���������� ������������������ ���������������������� ���������������� �������������
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8008da9c7def24198472d1a112ed49c8
Publikováno v:
Modern Electronic Materials, Vol 3, Iss 1, Pp 40-49 (2017)
The results of studying the quantum conductance staircase of holes in one-dimensional channels obtained by the split-gate method inside silicon nanosandwiches that are the ultra-narrow quantum well confined by the delta barriers heavily doped with bo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c876df01cb435111a86e034df125c80a
https://doi.org/10.1016/j.moem.2017.04.003
https://doi.org/10.1016/j.moem.2017.04.003
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N.T. Bagraev, V.S. Khromov, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.A. Mashkov, V.V. Romanov, N.I. Rul
The negative-U impurity stripes confining the edge channels of semiconductor quantum wells are shown to allow the effective cooling inside in the process of the spin-dependent transport, with the reduction of the electron-electron interaction. The af
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d685e70dbb6dc2dc01b8ef3225b3a027