Zobrazeno 1 - 10
of 271
pro vyhledávání: '"silicon diode"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Muhammad Abid Anwar, Munir Ali, Dong Pu, Srikrishna Chanakya Bodepudi, Jianhang Lv, Khurram Shehzad, Xiaochen Wang, Ali Imran, Yuda Zhao, Shurong Dong, Huan Hu, Bin Yu, Yang Xu
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 970-975 (2022)
Two-dimensional materials have modernized a broad interest in electronic devices. Along with many advantages, their atomic-level thickness makes them sensitive under high electrical stress. This work proposes a protection design using a Graphene/Sili
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/72a6d2c1be7949fab5d54697afaa0c76
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V. S. Piskunou, I. G. Tarutin
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 19, Iss 5, Pp 94-101 (2021)
The aim of this work is to analyze existing detectors for the relative dosimetry of small radiation fields in external beam radiation therapy and the requirements for them, consider the problems in carrying out dosimetry of small radiation fields, de
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3b69688e778449369e093b2027549940
Publikováno v:
فصلنامه علوم و فناوری فضایی, Vol 13, Iss 4, Pp 71-79 (2020)
The presence of ionizing radiation in the space environment, due to trapped particles, solar particles and cosmic rays can be a serious threat to the proper functioning of electronic components used in satellites and spacecraft. In this work, the lea
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6f93973dbf64435ab5ff389d752a06e3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Brazilian Journal of Radiation Sciences, Vol 7, Iss 2A (2019)
In this work, we report on the results obtained with rad-hard Standard Float Zone (STFZ) and Diffused Oxygenated Float Zone (DOFZ) silicon diodes in radiation processing dosimetry. The dosimetric probes were designed to operate in the direct current
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/06c4ea87733544c89d452727c6c28112
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.