Zobrazeno 1 - 10
of 457
pro vyhledávání: '"silicon controlled rectifier (SCR)"'
Autor:
Ming-Dou Ker, Zi-Hong Jiang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 141-152 (2023)
In CMOS chips, the wider layout rules were traditionally applied to overcome latch-up issues. However, the chip area with wider layout rules was often enlarged, and in turn the chip cost was also increased. To effectively improve latch-up immunity wi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/35a58b0a15524d7ba1c46ddc5c8cd900
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Case Studies in Thermal Engineering, Vol 40, Iss , Pp 102518- (2022)
A three-phase alternating current control technology (TPACCT) was proposed and applied to the compressor of an air cooled packaged water chiller unit (ACH) to maintain the stable operation of the air-conditioning system and reduce energy consumption.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1676946e983247de99e56cbf1b41eb91
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 108-113 (2021)
The ultra-high voltage (UHV) Lateral-diffused MOSFET (LDMOS) transistor has been widely used in power circuit applications and also used as an electrostatic discharge (ESD) self-protection device. However, the ESD ability of an UHV LDMOS is generally
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f24882c1daf84431a0039a0909b1c280
Autor:
Ruibo Chen, Hao Wei, Hongxia Liu, Fei Hou, Qi Xiang, Feibo Du, Cong Yan, Tianzhi Gao, Zhiwei Liu
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 3, p 632 (2023)
In this work, a new low voltage-triggered silicon-controlled rectifier named MTSCR is realized in a 65 nm CMOS process for low voltage-integrated circuits electrostatic discharge (ESD) protections. The MTSCR incorporates an external NMOSs-string, whi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1909dd0372954c97bba54f65d1ed21a0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.