Zobrazeno 1 - 10
of 561
pro vyhledávání: '"silicon chlorides"'
Publikováno v:
In Applied Surface Science 28 February 2018 432 Part B:127-131
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Surface Science. 432:127-131
The reaction of precursor with surface active site is the critical step in atomic layer deposition (ALD) process. We performed the density functional theory calculation with DFT-D correction to study the surface reaction of different silicon chloride
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jae-Min Park, Yong-Ho Noh, Young-Kyun Kwon, Sun-Jae Kim, Luchana L. Yusup, Sora Park, Won-Jun Lee
Publikováno v:
RSC Advances. 6:68515-68524
We studied the reactivity of different surface sites of β-Si3N4 with silicon chlorides during the first half reaction of an atomic layer deposition (ALD) process using ab initio density functional theory calculations to understand the underlying rea
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Roman Kornev, Igor Gornushkin, Lubov Shabarova, Alena Kadomtseva, Georgy Mochalov, Nikita Rekunov, Sergey Romanov, Vitaly Medov, Darya Belousova, Nikita Maleev
Publikováno v:
Sci, Vol 6, Iss 1, p 1 (2023)
The processes of hydrogen reduction of silicon and germanium chlorides under the conditions of high-frequency (40.68 MHz) counteracted arc discharge stabilized between two rod electrodes are investigated. The main gas-phase and solid products of plas
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c29f9a3fd94643a1916f0d4ced89d3c3