Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"silicon carbide MOSFETs"'
Autor:
Vladislav Volosov, Santina Bevilacqua, Laura Anoldo, Giuseppe Tosto, Enzo Fontana, Alfio-lip Russo, Claudio Fiegna, Enrico Sangiorgi, Andrea Natale Tallarico
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 7, p 872 (2024)
This paper investigates the threshold voltage shift (ΔVTH) induced by positive bias temperature instability (PBTI) in silicon carbide (SiC) power MOSFETs. By analyzing ΔVTH under various gate stress voltages (VGstress) at 150 °C, distinct mechanis
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/672f0d33bc154624acc403cea5af402f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ohn, Sungjae
The emergence of silicon-carbide (SiC) devices has been a 'game changer' in the field of power electronics. With desirable material properties such as low-loss characteristics, high blocking voltage, and high junction temperature operation, they are
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/89550
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Marzoughi, Alinaghi
For decades, the Silicon-based semiconductors have been the solution for power electronics applications. However, these semiconductors have approached their limits of operation in blocking voltage, working temperature and switching frequency. Due to
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/81822
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.