Zobrazeno 1 - 10
of 1 732
pro vyhledávání: '"silicon carbide MOSFETs"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Grome, Christopher A., Ji, Wei
Publikováno v:
Electronics 2024, 13, 1414
Radiation hardening of the MOSFET is of the highest priority for sustaining high-power systems in the space radiation environment. SiC-based power electronics are being looked at as a strong alternative for high power spaceborne power electronic syst
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2310.06184
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Baba, Tamana, Ahmed Siddiqui, Naseeb, Bte Saidin, Norazlina, Md Yusoff, Siti Harwani, Abdul Sani, Siti Fairus Binti, Abdul Karim, Julia, Hasbullah, Nurul Fadzlin
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B February 2024 300
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Giannopoulos, Nektarios1 (AUTHOR) n.giannopoulos@uniwa.gr, Ioannidis, Georgios1 (AUTHOR) gioan@uniwa.gr, Vokas, Georgios1 (AUTHOR), Psomopoulos, Constantinos1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Energies (19961073). Nov2023, Vol. 16 Issue 22, p7670. 25p.
Influence of Parasitic Parameters on Dynamic Threshold Voltage Hysteresis of Silicon Carbide MOSFETs
Publikováno v:
CSEE Journal of Power and Energy Systems, Vol 9, Iss 6, Pp 2251-2262 (2023)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b4f80f45406b4a8f8a78801894863d64