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pro vyhledávání: '"silicio amorfo hidrogenado"'
Autor:
Hierrezuelo Cardet, Pedro
Publikováno v:
Biblioteca Virtual (UNL)
Universidad Nacional del Litoral
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Universidad Nacional del Litoral
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Fil: Hierrezuelo Cardet, Pedro. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química; Argentina. Fil: Hierrezuelo Cardet, Pedro. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Bioquímica y Ciencias Biológicas; Argentina. Para la fabric
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::3303b04210dee669d7f51fbeaa95089c
Autor:
Alcides Muñoz Lasso
Publikováno v:
Tecnociencia, Vol 7, Iss 2 (2005)
Se repasa el comportamiento de una célula solar de película delgada a través de un circuito equivalente. En este circuito se incluye un elemento que representa las pérdidas por recombinación en la célula. A partir del circuito equivalente damos
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https://doaj.org/article/c9a40d3f4dde482db3474f6e06c640bd
Autor:
Alcides Muñoz Lasso
Publikováno v:
Tecnociencia, Vol 5, Iss 1 (2003)
Este trabajo se refiere a las características y criterios de elaboración de las células solares así como al tipo de estructura más utilizada para las células de a-Si:H y las razones para el uso de las mismas. Igualmente, se indican los parámet
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https://doaj.org/article/a89bbea161324e9d9a11b8bffff51469
Autor:
Kopprio, Leonardo Hugo
Publikováno v:
Biblioteca Virtual (UNL)
Universidad Nacional del Litoral
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Universidad Nacional del Litoral
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Fil: Kopprio, Leonardo Hugo. Facultad de Ingeniería Química; Argentina. Fil: Kopprio, Leonardo Hugo. Facultad de Bioquímica y Ciencias Biológicas; Argentina. Different steady-state characterization techniques based on photoconductivity-related me
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::525d6db19b713ef788997e91e1ff8e49
Autor:
De Greef, Marcelo Gastón
Publikováno v:
Biblioteca Virtual (UNL)
Universidad Nacional del Litoral
instacron:UNL
Universidad Nacional del Litoral
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Fil: De Greef, Marcelo Gastón. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química; Argentina. En la presente tesis se estudia, a partir de diferentes aproximaciones, el modelado de curvas características corriente-tensión (I-V) y r
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::331eabd4835cbf72d27e595aa119fb05
Autor:
Álvaro Mariño
Publikováno v:
Momento, Vol 0, Iss 1, Pp 31-40 (1989)
Los semiconductores no cristalinos han ganado gran importancia tecnológica en los últimos años, gracias a sus propiedades físicas específicas y a métodos de producción relativamente sencillos. Estos métodos basados en la tecnología conocida
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https://doaj.org/article/bba161acfca24de6a6e7f19da5a2355d
En este trabajo se presenta un estudio de la densidad de estados (DOS) obtenida en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [µc-Si:H (B)] a través del método de conductividad térmicamente estimulada (TSC) y comparada con los resultado
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3498::9a91f70af3b54fc3fad84c1c4d79928a
Publikováno v:
CONICET Digital (CONICET)
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
instacron:CONICET
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):182-186
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):182-186
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a difere
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9bc437afbd8f89ed6b736672d94278c6
https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/253
https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/253
Autor:
Prado, Rogério Junqueira
Nesta tese discorremos sobre crescimento e caracterização de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) crescidos por deposição química de vapor assistida por plasma (PECVD). Os filmes foram depositados a partir de mist
Autor:
Rogério Junqueira Prado
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
Nesta tese discorremos sobre crescimento e caracterização de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) crescidos por deposição química de vapor assistida por plasma (PECVD). Os filmes foram depositados a partir de mist