Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"sidewall defects"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Opto-Electronic Advances, Vol 4, Iss 4, Pp 1-15 (2021)
With regard to micro-light-emitting diodes (micro-LEDs), their excellent brightness, low energy consumption, and ultra-high resolution are significant advantages. However, the large size of traditional inorganic phosphors and the number of side defec
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/79928271e2ba4ab193811b9cb44319bb
Autor:
Le Chang, Yen-Wei Yeh, Sheng Hang, Kangkai Tian, Jianquan Kou, Wengang Bi, Yonghui Zhang, Zi-Hui Zhang, Zhaojun Liu, Hao-Chung Kuo
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 15, Iss 1, Pp 1-9 (2020)
Abstract Owing to high surface-to-volume ratio, InGaN-based micro-light-emitting diodes (μLEDs) strongly suffer from surface recombination that is induced by sidewall defects. Moreover, as the chip size decreases, the current spreading will be corre
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/93eb8fbadef7437298971b8b8fcbcf15
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yonghui Zhang, Wengang Bi, Jianquan Kou, Le Chang, Zi-Hui Zhang, Zhaojun Liu, Hao-Chung Kuo, Yen Wei Yeh, Sheng Hang, Kangkai Tian
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters
Nanoscale Research Letters, Vol 15, Iss 1, Pp 1-9 (2020)
Nanoscale Research Letters, Vol 15, Iss 1, Pp 1-9 (2020)
Owing to high surface-to-volume ratio, InGaN-based micro-light-emitting diodes (μLEDs) strongly suffer from surface recombination that is induced by sidewall defects. Moreover, as the chip size decreases, the current spreading will be correspondingl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fa50d117e2532d184913659066e94f97
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/32761479
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/32761479
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.