Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"sequential plasma ALD"'
Autor:
So-Won Kim, Jae-Hoon Yoo, Won-Ji Park, Chan-Hee Lee, Joung-Ho Lee, Jong-Hwan Kim, Sae-Hoon Uhm, Hee-Chul Lee
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 20, p 1686 (2024)
We aimed to fabricate reliable memory devices using HfO2, which is gaining attention as a charge-trapping layer material for next-generation NAND flash memory. To this end, a new atomic layer deposition process using sequential remote plasma (RP) and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a009560ee3c94ae9b861118dcb7fa76d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.