Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"sensitivity metric"'
Autor:
Sujan Kumar Roy, Kuldip K. Paliwal
Publikováno v:
Signals, Vol 2, Iss 3, Pp 434-455 (2021)
Inaccurate estimates of the linear prediction coefficient (LPC) and noise variance introduce bias in Kalman filter (KF) gain and degrade speech enhancement performance. The existing methods propose a tuning of the biased Kalman gain, particularly in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/860e2ec029704bc8899de317bc155482
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 13, Iss 11, p 6717 (2023)
Safety validation of Autonomous Vehicles (AV) requires simulation. Automotive manufacturers need to generate scenarios used during this simulation-based validation process. Several approaches have been proposed to master scenario generation. However,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/688be47d1c1a4720b2c0ed196606257b
Publikováno v:
Applied Sciences; Volume 13; Issue 11; Pages: 6717
Safety validation of Autonomous Vehicles (AV) requires simulation. Automotive manufacturers need to generate scenarios used during this simulation-based validation process. Several approaches have been proposed to master scenario generation. However,
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Swahn, B., Hassoun, S.
As device dimensions shrink into the nanometer range, power and performance constraints prohibit the longevity of traditional MOS devices in circuit design. A finFET, a quasi-planar double-gated device, has emerged as a replacement. FinFETs are forme
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::91a575cbe6ad2ae9ecaa5194f132f6f6
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00171381
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00171381
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.