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pro vyhledávání: '"semiconductores III-V"'
Publikováno v:
Revista de Investigación de Física (2021)
El semiconductor binario antimoniuro de galio ha tenido muchas aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos en los últimos años. El estudio de sus defectos en los materiales semiconductores es de vital interés para este tipo de aplicaciones. Per
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https://doaj.org/article/c045be09eba242b791624fda9b16ad37
Publikováno v:
Revista de Investigación de Física; Vol. 24 No. 3 (2021); 31-38
Revista de Investigación de Física; Vol. 24 Núm. 3 (2021); 31-38
Revista de Investigación de Física; Vol. 24 Núm. 3 (2021); 31-38
Gallium antimonide binary semiconductor has had many applications in optoelectronic devices in recent years. The study of their defects in semiconductor materials is of vital interest for this type of application. But, in addition to the routine char
Autor:
Roxani Yaringaño, Rodolfo Sonco
Publikováno v:
Revista de Investigación de Física (2021)
El semiconductor binario antimoniuro de galio ha tenido muchas aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos en los últimos años. El estudio de sus defectos en los materiales semiconductores es de vital interés para este tipo de aplicaciones. Per
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::adef826684b5e78121900ef7a7d4469c
https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/21418
https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/21418
Publikováno v:
Repositorio EIA
Escuela de Ingeniería de Antioquia
instacron:Escuela de Ingeniería de Antioquia
Escuela de Ingeniería de Antioquia
instacron:Escuela de Ingeniería de Antioquia
espanolLa segregacion superficial de atomos en las aleaciones de semiconductores III-V produce interfaces abruptas y modifica los perfiles del potencial, alternando los estados electronicos en el pozo cuantico y la energia de emision en el espectro d
Autor:
Jhon Jairo Prías-Barragán, Ana María Tamayo-Ocampo, Liliana Tirado-Mejía, Hernando Ariza-Calderón
Publikováno v:
Revista de Investigaciones Universidad del Quindío, Vol 23, Iss 1 (2012)
En este trabajo se presenta la obtención de una configuración de circuito electrónico basado en GaSb, para una aplicación de filtro sintonizado alrededor de 20 MHz. Se implementó y automatizó la técnica de espectros-copia de amplitud y fase pa
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https://doaj.org/article/7f85c8bec5f4417e8e32841964e27c31
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Revista de Investigaciones Universidad del Quindío, Vol 23, Iss 1 (2012)
En este trabajo se presenta la obtención de una configuración de circuito electrónico basado en GaSb, para una aplicación de filtro sintonizado alrededor de 20 MHz. Se implementó y automatizó la técnica de espectros-copia de amplitud y fase pa
Publikováno v:
SEDICI (UNLP)
Universidad Nacional de La Plata
instacron:UNLP
Universidad Nacional de La Plata
instacron:UNLP
Con anterioridad se presentaron diferentes etapas del desarrollo de un dispositivo para la medición de Respuesta Espectral (RE) de celdas solares multijuntura y otros dispositivos fotovoltaicos. En la actualidad este equipo se encuentra totalmente f
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e28cff210bf4587e4cd0e7eee7f095dd
http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/99663
http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/99663
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Repositorio UN
Universidad Nacional de Colombia
instacron:Universidad Nacional de Colombia
Universidad Nacional de Colombia
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En este trabajo de tesis, se estudió el crecimiento por la técnica de R.F Magnetrón Sputtering de materiales semiconductores Ga1-xMnxAs, conocidos como semiconductores semimagnéticos o semiconductores magnéticos diluidos (Diluted Magnetic Semico
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e79d7eb90aa2da73882665d925f3ab94
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/7578
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Autor:
Martín Sánchez, Javier
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Biblos-e Archivo. Repositorio Institucional de la UAM
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Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
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Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
Tesis leída el 29 de mayo de 2009 en el Departamento de Física de la Materia Condensada de la Universidad Autónoma de Madrid.
Los puntos cuánticos (QDs) de material semiconductor presentan una distribución en su densidad de niveles de energ
Los puntos cuánticos (QDs) de material semiconductor presentan una distribución en su densidad de niveles de energ
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::175460aa3446f5a778123197353de158
http://hdl.handle.net/10486/86
http://hdl.handle.net/10486/86
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SEDICI (UNLP)
Universidad Nacional de La Plata
instacron:UNLP
Universidad Nacional de La Plata
instacron:UNLP
Los dispositivos fotovoltaicos basados en semiconductores III-V se utilizan como fuente de potencia de satélites y otros vehículos espaciales debido a su alta eficiencia y resistencia a la radiación. En particular, los paneles solares de las próx
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3e2da50563475129a2cad65642f8801a
http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/94459
http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/94459