OBTENCIÓN DE UNA CONFIGURACIÓN DE CIRCUITO ELECTRÓNICO BASADO EN SEMICONDUCTORES III-V PARA APLICACIONES ALREDEDOR DE LA FRECUENCIA DE 20 MHz

Autor: Jhon Jairo Prías-Barragán, Ana María Tamayo-Ocampo, Liliana Tirado-Mejía, Hernando Ariza-Calderón

Publikováno v: Revista de Investigaciones Universidad del Quindío, Vol 23, Iss 1 (2012)

En este trabajo se presenta la obtención de una configuración de circuito electrónico basado en GaSb, para una aplicación de filtro sintonizado alrededor de 20 MHz. Se implementó y automatizó la técnica de espectros-copia de amplitud y fase pa

Externí odkaz: https://doaj.org/article/7f85c8bec5f4417e8e32841964e27c31

Propiedades electrónicas de semiconductores III-V sometidos a tensión uniaxial en la dirección [111]; un enfoque según el método tight-binding: I. Arseniuros y Fosfuro de Galio

Autor: Miguel E. Mora-Ramos, J. Juan Martín Mozo

Publikováno v: Nova Scientia, Vol 2, Iss 3 (2014)

Empleando un esquema de cálculo tight-binding que usa una base de orbitales sp3s*d5, se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de notable interés para la tecnología de disp

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OBTENCIÓN DE UNA CONFIGURACIÓN DE CIRCUITO ELECTRÓNICO BASADO EN SEMICONDUCTORES III-V PARA APLICACIONES ALREDEDOR DE LA FRECUENCIA DE 20 MHz

Autor: Ana María Tamayo-Ocampo, L. Tirado-Mejía, J. J. Prías-Barragán, H. Ariza-Calderón

Publikováno v: Revista de Investigaciones Universidad del Quindío, Vol 23, Iss 1 (2012)

En este trabajo se presenta la obtención de una configuración de circuito electrónico basado en GaSb, para una aplicación de filtro sintonizado alrededor de 20 MHz. Se implementó y automatizó la técnica de espectros-copia de amplitud y fase pa

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::99a2e6f15994d8fe0099c8b472ab01cf
https://doi.org/10.33975/riuq.vol23n1.415

Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si

Autor: Mazuelas Esteban, Ángel

Publikováno v: E-Prints Complutense. Archivo Institucional de la UCM
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E-Prints Complutense: Archivo Institucional de la UCM
Universidad Complutense de Madrid

Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de

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http://eprints.ucm.es/1895/

Respuesta Espectral en Celdas Solares Multi-Juntura de Estructura Monolítica Basadas en Semiconductores III-V

Autor: Garcia, Javier Andres

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