Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"semiconductor quality"'
Publikováno v:
Міжнародний науковий журнал "Підводні технології: промислова та цивільна інженерія"; № 12 (2022); 63-77
International scientific journal "Underwater Technologies: industrial and civil engineering"; No. 12 (2022); 63-77
Международный научный журнал "Подводные технологии: промышленная и гражданская инженерия"; № 12 (2022); 63-77
International scientific journal "Underwater Technologies: industrial and civil engineering"; No. 12 (2022); 63-77
Международный научный журнал "Подводные технологии: промышленная и гражданская инженерия"; № 12 (2022); 63-77
Based on the analysis of modern methods for obtaining semiconductor silicon, critical factors influencing the prospects for the development of the industry are identified. The basic component of the production scheme for producing silicon of semicond
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Karim Cherkaoui, Paul K. Hurley, Rafael Rios, Kelin J. Kuhn, Liam Floyd, Eamon O'Connor, Eimear Ryan, Ian M. Povey, Scott Monaghan, Fahmida Ferdousi
Experimental observations for the In0.53Ga0.47As metal–oxide–semiconductor (MOS) system in inversion indicate that the measured capacitance ( $C$ ) and conductance ( $G$ or $G_{m}$ ), are uniquely related through two functions of the alternating
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1fb9fe87e99d5ebdb9568c8e50d3abe7
https://hdl.handle.net/10468/13321
https://hdl.handle.net/10468/13321
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.