Zobrazeno 1 - 10
of 153
pro vyhledávání: '"semiconductor memories"'
Autor:
Yildirim, Ertürk Enver, Panes-Ruiz, Luis-Antonio, Yemulwar, Pratyaksh, Cihan, Ebru, Ibarlucea, Bergoi, Cuniberti, Gianaurelio
In recent years, neuromorphic computing has gained attention as a promising approach to enhance computing efficiency. Among existing approaches, neurotransistors have emerged as a particularly promising option as they accurately represent neuron stru
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.12720
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Salvatore M. Amoroso, Plamen Asenov, Jaehyun Lee, Nara Kim, Ko-Hsin Lee, Yaohua Tan, Yong-Seog Oh, Lee Smith, Xi-Wei Lin, Victor Moroz
Publikováno v:
Journal of Microelectronic Manufacturing, Vol 3, Iss 4 (2020)
This paper presents a TCAD-based methodology to enable Design-Technology Co-Optimization (DTCO) of advanced semiconductor memories. After reviewing the DTCO approach to semiconductor devices scaling, we introduce a multi-stage simulation flow to stud
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e0970189b5cd4cb083e63d2b54659876
Autor:
Mojtaba Jodaki
Publikováno v:
آموزش مهندسی ایران, Vol 16, Iss 62, Pp 101-116 (2014)
The significant role and the great influence of microelectronic technology and industry on man’s life have become an indisputable fact. This industry, relying on nanotechnology and its remarkable evolutional and revolutionary progresses, benefits f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/97138248cc7140598e798c331227d04b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Winkler, Felix
3-dimensional integration has become a standard to further increase the transistor density and to enhance the integrated functionality in microchips. Integrated circuits are stacked on top of each other and copper-filled through-silicon VIAs (TSVs) a
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A72882
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A72882/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A72882/attachment/ATT-0/
This paper presents comparison of semiconductor memory circuits such as volatile memories like SRAM, DRAM and non-volatile memories like ROM, PROM, EPROM, EEPROM, FLASH (NOR based & NAND based). This comparison is on the basis of some parameters incl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1da0cbd71611c657ee6ace5910d6a71d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.