Zobrazeno 1 - 10
of 132
pro vyhledávání: '"semiconductor laser diodes"'
Autor:
Sumer Makhlouf, Oleg Cojocari, Martin Hofmann, Tadao Nagatsuma, Sascha Preu, Nils Weimann, Heinz-Wilhelm Hubers, Andreas Stohr
Publikováno v:
IEEE Journal of Microwaves, Vol 3, Iss 3, Pp 894-912 (2023)
The rapid progress in semiconductor technology has vastly boosted the development of terahertz sources and receivers in terms of compactness, reliability, operation frequency, and output power. In this manuscript, we report on the latest achievements
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1a5180d0f79444868f465c2ea20c0ad7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Vestnik MGTU, Vol 20, Iss 4, Pp 697-704 (2017)
In the literature there is practically no information on the change in the characteristics of the emission spectrum of industrial semiconductor laser diodes in a wide range of temperatures, including cryogenic temperatures. Nevertheless, this informa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d86ea54223ae412d812ffb1ac7fbc9af
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. 69:5100-5106
We measure the noise of the converted frequency-modulated (cFM) signal in a self-mixing interferometer (SMI) and confirm the theoretical prediction of a dependence of rms noise from ( $1+ C)^{-1}$ , where $C$ is the Acket feedback factor, up to a hig
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kim, Jae Hong
This dissertation presents a wide-band lumped element equivalent circuit model and a building block-based scalable circuit model for multiple quantum well laser diodes. The wide-band multiple-resonance model expresses two important laser diode charac
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/7129
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Vestnik MGTU, Vol 20, Iss 4, Pp 697-704 (2017)
In the literature there is practically no information on the change in the characteristics of the emission spectrum of industrial semiconductor laser diodes in a wide range of temperatures, including cryogenic temperatures. Nevertheless, this informa