Zobrazeno 1 - 10
of 243
pro vyhledávání: '"semiconductor device simulation"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gardner, Carl L., Ringhofer, Christian
Publikováno v:
SIAM Journal on Applied Mathematics, 1998 Jun 01. 58(3), 780-805.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/118286
Autor:
Farrell, Patricio
We present charge transport models for novel semiconductor devices which may include ionic species as well as their thermodynamically consistent finite volume discretization.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::20672cabfb28cdd4b1967a246d3563d1
https://refubium.fu-berlin.de/handle/fub188/37941
https://refubium.fu-berlin.de/handle/fub188/37941
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shu, Chi-Wang
Publikováno v:
SIAM Review, 2009 Mar 01. 51(1), 82-126.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/20454194
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.