Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"semi-floating gate transistor"'
Publikováno v:
Electronics, Vol 8, Iss 10, p 1198 (2019)
Electronics
Volume 8
Issue 10
Electronics
Volume 8
Issue 10
Over the past decade, the dimensional scaling of semiconductor electronic devices has been facing fundamental and physical challenges, and there is currently an urgent need to increase the ability of dynamic random-access memory (DRAM). A semi-floati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::121ae77716ed518354ae186893e83790
https://www.mdpi.com/2079-9292/8/10/1198
https://www.mdpi.com/2079-9292/8/10/1198
Publikováno v:
Electronics, Vol 8, Iss 4, p 414 (2019)
Electronics
Volume 8
Issue 4
Electronics
Volume 8
Issue 4
With the continuous scaling down of devices, traditional one-transistor one-capacitor dynamic random access memory (1T-1C DRAM) has encountered great challenges originated from the large-volume capacitor and high leakage current. A semi-floating gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3b5d39bd343648ec0f44d96afb92dcea
https://doi.org/10.3390/electronics8040414
https://doi.org/10.3390/electronics8040414
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.