Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"self‐rectifying memory"'
Publikováno v:
Archives of Metallurgy and Materials, Vol vol. 69, Iss No 2, Pp 463-466 (2024)
Self-rectifying resistive memory can reduce the complexity of crossbar array architecture for high density memory. It can replace integrated memory and selector with one self-rectifying cell. Such a simple structure can be applied for the vertical re
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a9cbd9fe4e204f45bc940193ed7d6656
Autor:
Seung Soo Kim, Soo Kyeom Yong, Jihun Kim, Jin Myung Choi, Tae Won Park, Hyun Young Kim, Hae Jin Kim, Cheol Seong Hwang
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 3, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract A hole‐type vertical structure is adopted to fabricate a vertically stacked resistive switching random access memory (ReRAM) array. The vertical configuration is more advantageous in lowering the process cost and increasing integration den
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3616e16c945b4aeab0153e149bd2b5e4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.