Zobrazeno 1 - 10
of 1 657
pro vyhledávání: '"schottky barrier height"'
Publikováno v:
International Journal of Electrical Power & Energy Systems, Vol 161, Iss , Pp 110172- (2024)
The instability of the inverse problem is caused by its nonlocal and non-causal nature. This study addresses the inverse problem of determining the physical parameters of semiconductor devices. Based on statistical inversion theory, the probability d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e93b4bb0f7104d6d87c0a90e73ac30ab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jingyi Ma, Jina Wang, Quan Chen, Shengdi Chen, Mengmeng Yang, Yiming Sun, Zhaoqiang Zheng, Nengjie Huo, Yong Yan, Jingbo Li, Wei Gao
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 1, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract In recent years, 2D reconfigurable phototransistors (RPTs) have been applied in broadband convolutional processing, retinomorphic hardware devices, and non‐volatile memorizers. However, there has been a lack of investigation into all‐2D
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/643686b3db27428c8a50f095b70c23bd
Autor:
Soundarya Nagarajan, Daniel Hiller, Ingmar Ratschinski, Dirk König, Sean C. Smith, Thomas Mikolajick, Jens Trommer
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 1, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Doping silicon on the nanoscale by the intentional introduction of impurities into the intrinsic semiconductor suffers from effects such as dopant deactivation, random dopant fluctuations, out‐diffusion, and mobility degradation. This pape
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cc872ae237864610802310a42741a084
Publikováno v:
Taiyuan Ligong Daxue xuebao, Vol 53, Iss 6, Pp 1054-1060 (2022)
The hot electron injection effect plays a vital role in many research and applications involving light energy conversion, such as photoelectric catalysis and optoelectronic devices. The improvement of hot electron injection efficiency is the key to p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7307f72177f94f6eb408e8770e965345
Autor:
D. Favero, C. De Santi, A. Nardo, A. Dixit, P. Vanmeerbeek, A. Stockman, M. Tack, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 10, p 104001 (2024)
We demonstrate that exposure to positive gate bias can favor a fast recovery of the threshold voltage variation induced by off-state stress, in p-GaN gate high electron mobility transistors. Two process splits were investigated, having different Scho
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5a5f50e47a10457bb368574ebbdf76c4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.