Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"ségrégation de dopants"'
Autor:
Daubriac, Richard
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018ISAT0031/document
Autor:
Daubriac, Richard
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Toulouse, 2018. Français. ⟨NNT : 2018ISAT0031⟩
During the past few decades, the emergence of new architectures (FDSOI, FinFETs or NW-FETs) and the use of new materials (like silicon/germanium alloys) allowed to go further in MOS devices scaling by solving short channel effect issues. However, new
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e6f690db43597a494b3e5b416f74d31c
https://hal.laas.fr/tel-02087031v2/document
https://hal.laas.fr/tel-02087031v2/document
Autor:
Daubriac , Richard
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut national des sciences appliquées de Toulouse, 2018. Français
National audience; During the past few decades, the emergence of new architectures (FDSOI, FinFETs or NW-FETs) and the use of new materials (like silicon/germanium alloys) allowed to go further in MOS devices scaling by solving short channel effect i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4074::e9cf836d3d907f777e41f45a4edbcbef
https://hal.laas.fr/tel-02053232/document
https://hal.laas.fr/tel-02053232/document
Autor:
Larrieu, Guilhem
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Universite Toulouse III Paul Sabatier, 2016
Pas de resumes; Lors des 40 dernières années, la technologie CMOS a permis une véritable révolution dans le traitement de l’information, sans cesse amélioré grâce à la diminution continue des dimensions des composants. L’évolution récen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c2bc82927f28b446e2ea4dbb8e2703c2
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01292061
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01292061
Autor:
Larrieu, Guilhem
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Universite Toulouse III Paul Sabatier, 2016
Pas de resumes; Lors des 40 dernières années, la technologie CMOS a permis une véritable révolution dans le traitement de l’information, sans cesse amélioré grâce à la diminution continue des dimensions des composants. L’évolution récen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::c2bc82927f28b446e2ea4dbb8e2703c2
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01292061
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01292061
Autor:
Ravaux, Florent
Alors que le développement industriel des technologies CMOS-SOI aborde le cap des longueurs de grille inférieures à 30nm, l’optimisation du module source/drain est identifié comme l’un des verrous technologiques fondamentaux afin d’atteindr
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2012LIL10028/document
Autor:
Breil, Nicolas
Dans le cadre de la réduction des dimensions des technologies CMOS, le module de jonction apparaît comme un point bloquant pour l’amélioration des performances. En particulier, la hauteur de barrière entre le siliciure et le silicium limite le
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2009LIL10188/document
Autor:
Bhandari, Jyotshna
Since the advent of CMOS technology, the semiconductor industry has been successful in achieving continuously improved performance. The feature size of the most important electronic device, the Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFE
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::79a5ac87231d871227d199f1e034dd30
https://infoscience.epfl.ch/record/150274
https://infoscience.epfl.ch/record/150274