Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"rocking-curve imaging"'
Autor:
Osami Sakata, Shinjiro Yagyu
Publikováno v:
Science and Technology of Advanced Materials: Methods, Vol 3, Iss 1 (2023)
Synchrotron X-ray rocking curve imaging (RCI) is modified to visualize local bending of lattice planes of a single crystal substrate (XR-V-LBLP). This method uses two-azimuth RCI datasets of asymmetric reflection or symmetric reflection. The analysis
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/50f5970e5d9c4b5092b713ed8ffffb1f
Autor:
Isabella Peracchi, Carsten Richter, Tobias Schulz, Jens Martin, Albert Kwasniewski, Sebastian Kläger, Christiane Frank-Rotsch, Patrick Steglich, Karoline Stolze
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 7, p 1126 (2023)
New requirements for high-frequency applications in wireless communication and sensor technologies need III-V compound semiconductors such as indium phosphide (InP) to complement silicon (Si)-based technologies. This study establishes the basis for a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/02648caaee4f445f9062a500a377aaa6
Autor:
T. Journot, D. Brellier, P. Ballet, T. N. Tran Thi Caliste, E. Gout, D. Collonge, J. Baruchel
Publikováno v:
Journal of Applied Crystallography
Journal of Applied Crystallography, 2023, 56, pp.401-408. ⟨10.1107/s1600576723000377⟩
Journal of Applied Crystallography, 2023, 56, pp.401-408. ⟨10.1107/s1600576723000377⟩
International audience; In this work, synchrotron radiation rocking curve imaging (RCI) is used to visualize and characterize dislocations and second-phase defects in a highly perfect and absorbing CdTe(Zn) crystal. This technique requires recording
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1d5f6a4289d544caaae2fd00518865f5
https://doi.org/10.1107/s1600576723000377
https://doi.org/10.1107/s1600576723000377
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 11, Iss 19, p 9054 (2021)
We observe a long-range distortion field between parallel dislocations with opposite Burgers vectors in a platelet-shaped single crystal of 4H-SiC with a low dislocation density (~103 cm/cm3). This distortion field is in the µradian range when the d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/669efd84709346a0b95ea64b92c93b55
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lutz Kirste, Thu Nhi Tran Thi Caliste, Jan L. Weyher, Julita Smalc-Koziorowska, Magdalena A. Zajac, Robert Kucharski, Tomasz Sochacki, Karolina Grabianska, Malgorzata Iwinska, Carsten Detlefs, Andreas N. Danilewsky, Michal Bockowski, José Baruchel
Publikováno v:
Materials; Volume 15; Issue 19; Pages: 6996
In this paper, we investigate, using X-ray Bragg diffraction imaging and defect selective etching, a new type of extended defect that occurs in ammonothermally grown gallium nitride (GaN) single crystals. This hexagonal “honeycomb” shaped defect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7679e6701832ccbabbdeac8f6678780c
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36234338
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36234338
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.