Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"reverse conduction loss"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 4, Pp 357-366 (2023)
This paper presents a three-level gate driver for GaN HEMTs (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors) for high false turn-on tolerance and low reverse conduction loss during both dead time at turn-on and turn-off. The proposed gate driver
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/143f5b62f15b48e9b8a02f2864b1e411
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 43169-43182 (2023)
A GaN gate injection transistor (GIT) has great potential as a power semiconductor device. However, a GaN GIT has a diode characteristic at the gate-source, and a corresponding gate drive circuit is thus required. Several studies in the literature ha
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/301e982692d84b9eb2d3fe3b11e8aac0
Publikováno v:
Energy Reports, Vol 8, Iss , Pp 908-919 (2022)
Affected by high switching speed and parasitic parameters, crosstalk problem of eGaN HEMT in a phase-leg configuration cannot be ignored. By decreasing gate driver turn-off voltage, the false turn-on phenomenon of device caused by crosstalk can be av
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cc351c40598040ecacea192996d68593
Autor:
Desheng Zhang, Dian Lyu, Ming Zhang, Mengxue Dong, Run Min, Qiao Zhang, Qiaoling Tong, Xuecheng Zou
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 61635-61645 (2021)
Reverse conduction loss of GaN high electron mobility transistors (HEMTs) in very high frequency (VHF) converters is non-neglectable due to the absence of body diode. To reduce the reverse conduction time, this paper proposes a linear equivalent mode
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e065485971d64b388ecdfc0e4ae4aad3
Publikováno v:
Energy Reports, Vol 8, Iss, Pp 908-919 (2022)
Affected by high switching speed and parasitic parameters, crosstalk problem of eGaN HEMT in a phase-leg configuration cannot be ignored. By decreasing gate driver turn-off voltage, the false turn-on phenomenon of device caused by crosstalk can be av
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::47882042d4d313289d2fe9def29c58d9
https://doi.org/10.1016/j.egyr.2021.11.093
https://doi.org/10.1016/j.egyr.2021.11.093
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.