Zobrazeno 1 - 10
of 277
pro vyhledávání: '"reverse conduction loss"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 4, Pp 357-366 (2023)
This paper presents a three-level gate driver for GaN HEMTs (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors) for high false turn-on tolerance and low reverse conduction loss during both dead time at turn-on and turn-off. The proposed gate driver
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/143f5b62f15b48e9b8a02f2864b1e411
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lei Qi, Ze Li, Xiangyu Zhang, Jin Yang, Yuanfang Lu, Jingfei Wang, Fuyue Wen, Kefeng Wang, Xinyu Hu
Publikováno v:
IET Power Electronics, Vol 17, Iss 3, Pp 394-401 (2024)
Abstract Bi‐mode Insulated Gate Transistor (BIGT), owing to its notable attributes in power density and compact dimensions, holds promising applications in the realm of high power converters. However, its characteristic of the voltage drop in diode
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/423dd405a31a4e6b8f0a8f8bcd4ff978
Autor:
Zhao, Zhijia, Wei, Yuxi, Sun, Tao, Yang, Kemeng, Wei, Jie, Jia, Yanjiang, Deng, Siyu, Luo, Xiaorong, Zhang, Bo
Publikováno v:
In Microelectronics Journal June 2023 136
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Desheng Zhang, Dian Lyu, Ming Zhang, Mengxue Dong, Run Min, Qiao Zhang, Qiaoling Tong, Xuecheng Zou
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 61635-61645 (2021)
Reverse conduction loss of GaN high electron mobility transistors (HEMTs) in very high frequency (VHF) converters is non-neglectable due to the absence of body diode. To reduce the reverse conduction time, this paper proposes a linear equivalent mode
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e065485971d64b388ecdfc0e4ae4aad3