Zobrazeno 1 - 10
of 190
pro vyhledávání: '"reverse conduction"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 106488-106503 (2024)
Although Gallium Nitride (GaN) Field Effect Transistor (FET) devices have found extensive application in DC-DC converters, their utilization in inverter motor drives remains an evolving area of study. In particular, the intricacies of reverse conduct
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9581faab9fc64b85879b57b5ce735bc7
Investigation of Dead Time Losses in Inverter Switching Leg Operation: GaN FET vs. MOSFET Comparison
Publikováno v:
Energies, Vol 17, Iss 15, p 3855 (2024)
This paper investigates the commutation transients of MOSFET and GaN FET devices in motor drive applications during hard-switching and soft-switching commutations at dead time operation. This study compares the switching behaviors of MOSFETs and GaN
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2f2df3fba1e24505a82c02024c9c8092
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 98452-98457 (2023)
Third quadrant operation is vital for power applications such as synchronous DC-DC converters and inverters, which require a low drain-source voltage drop to reduce conduction losses. However, typical gallium nitride (GaN) transistors have a higher v
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fdc628e9623349a48518baeebcddc8bf
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 4, Pp 357-366 (2023)
This paper presents a three-level gate driver for GaN HEMTs (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors) for high false turn-on tolerance and low reverse conduction loss during both dead time at turn-on and turn-off. The proposed gate driver
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/143f5b62f15b48e9b8a02f2864b1e411
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 43169-43182 (2023)
A GaN gate injection transistor (GIT) has great potential as a power semiconductor device. However, a GaN GIT has a diode characteristic at the gate-source, and a corresponding gate drive circuit is thus required. Several studies in the literature ha
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/301e982692d84b9eb2d3fe3b11e8aac0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 17, Iss 1, Pp 1-6 (2022)
Abstract A vertical GaN power MOSFET featuring an integrated fin-shaped non-junction diode (FDMOS) is proposed to improve reverse conduction and switching characteristics. Its static and dynamic characteristics are studied and analyzed by Sentaurus T
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fb46066ebf204a1fb9b8f9e1c6912d98
Publikováno v:
Energy Reports, Vol 8, Iss , Pp 908-919 (2022)
Affected by high switching speed and parasitic parameters, crosstalk problem of eGaN HEMT in a phase-leg configuration cannot be ignored. By decreasing gate driver turn-off voltage, the false turn-on phenomenon of device caused by crosstalk can be av
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cc351c40598040ecacea192996d68593
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.