Zobrazeno 1 - 10
of 2 622
pro vyhledávání: '"reverse conduction"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 106488-106503 (2024)
Although Gallium Nitride (GaN) Field Effect Transistor (FET) devices have found extensive application in DC-DC converters, their utilization in inverter motor drives remains an evolving area of study. In particular, the intricacies of reverse conduct
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9581faab9fc64b85879b57b5ce735bc7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 98452-98457 (2023)
Third quadrant operation is vital for power applications such as synchronous DC-DC converters and inverters, which require a low drain-source voltage drop to reduce conduction losses. However, typical gallium nitride (GaN) transistors have a higher v
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fdc628e9623349a48518baeebcddc8bf
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 4, Pp 357-366 (2023)
This paper presents a three-level gate driver for GaN HEMTs (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors) for high false turn-on tolerance and low reverse conduction loss during both dead time at turn-on and turn-off. The proposed gate driver
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/143f5b62f15b48e9b8a02f2864b1e411
Autor:
Lei Qi, Ze Li, Xiangyu Zhang, Jin Yang, Yuanfang Lu, Jingfei Wang, Fuyue Wen, Kefeng Wang, Xinyu Hu
Publikováno v:
IET Power Electronics, Vol 17, Iss 3, Pp 394-401 (2024)
Abstract Bi‐mode Insulated Gate Transistor (BIGT), owing to its notable attributes in power density and compact dimensions, holds promising applications in the realm of high power converters. However, its characteristic of the voltage drop in diode
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/423dd405a31a4e6b8f0a8f8bcd4ff978
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.