Zobrazeno 1 - 10
of 151
pro vyhledávání: '"resistive mixer"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dristy Parveg, Todd Gaier, Mikko Varonen, Tero Tikka, Kari Halonen, Amirreza Safaripour, Pekka Kangaslahti, Mikko Kantanen, Ali Hajimiri
Publikováno v:
Parveg, D, Varonen, M, Safaripour, A, Kangaslahti, P, Kantanen, M, Tikka, T, Gaier, T, Halonen, K A I & Hajimiri, A 2020, ' An mm-Wave CMOS I-Q Subharmonic Resistive Mixer for Wideband Zero-IF Receivers ', IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 30, no. 5, 9050411, pp. 520-523 . https://doi.org/10.1109/LMWC.2020.2980973
In this letter, we propose a novel wideband subharmonically pumped fully differential I-Q resistive mixer architecture, which eliminates the necessity for on-chip dc-blocking capacitors to integrate IF amplifiers. The proposed differential subharmoni
Publikováno v:
Parveg, D, Varonen, M, Kantanen, M & Pusa, J 2021, A Full Ka-band Highly Linear Efficient GaN-on-Si Resistive Mixer . in 2021 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2021 . IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers, IEEE MTT-S International Microwave Symposium, pp. 645-648, IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2021, Atlanta, Georgia, United States, 7/06/21 . https://doi.org/10.1109/IMS19712.2021.9574822
In this paper, we present a highly linear balanced IQ resistive mixer implemented in a 100-nm GaN HEMT on a silicon substrate that covers the whole Ka-band. The mixer achieves an input third-order intercept point (IIP3) of 30 dBm with only 10.5 dBm o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::02efd7afc87bd7ef827b8e3f5f299f0b
https://doi.org/10.1109/IMS19712.2021.9574822
https://doi.org/10.1109/IMS19712.2021.9574822
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2020 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium, BCICTS 2020
2020 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)
BCICTS
2020 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)
BCICTS
This paper presents the design and the characterization of a 24 GHz sub-harmonically pumped resistive mixer (SHM) in an advanced gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) technology. The mixer is desired for building up a high-pe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fc40480c5cdc8385bd12b63497f3c0a7
https://research.chalmers.se/en/publication/e09f014f-2bb5-4df5-8f5e-60a67ca694bc
https://research.chalmers.se/en/publication/e09f014f-2bb5-4df5-8f5e-60a67ca694bc
Autor:
Iga Ayu Mas Oka, Teguh Firmansyah
Publikováno v:
SETRUM (Sistem Kendali-Tenaga-Elektronika-Telekomunikasi-Komputer), Vol 4, Iss 2, Pp 87-91 (2016)
Perkembangan telekomunikasi semakin pesat, mendorong dilakukannya berbagai penelitian dibidang komunikasi wireless (nirkabel). Salah satu subsitem dari perangkat komunikasi yaitu mixer atau lebih dikenal dengan modulator. Pada penelitian ini diusulka
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.