Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"reram (redox-based random access memory)"'
Publikováno v:
Frontiers in Materials, Vol 9 (2022)
We report that implanting argon ions into a film of uniform atomic layer deposition (ALD)-grown SiOx enables electroforming and switching within films that previously failed to electroform at voltages
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/19af6a9ed06b44eebcf92d62260dcf94
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.