Zobrazeno 1 - 10
of 613
pro vyhledávání: '"reflection high-energy electron diffraction (RHEED)"'
Autor:
Krishnan, Kannan M., author
Publikováno v:
Principles of Materials Characterization and Metrology, 2021, ill.
Externí odkaz:
https://doi.org/10.1093/oso/9780198830252.003.0008
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Horio, Yoshimi
Publikováno v:
大同大学紀要. 58:25-38
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::4e715850525f8c6fa2af4c1d4bc573c1
https://daido.repo.nii.ac.jp/records/124
https://daido.repo.nii.ac.jp/records/124
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 7, Iss 1, Pp 591-604 (2016)
Texture formation and epitaxy of thin metal films and oriented growth of nanoparticles (NPs) on single crystal supports are of general interest for improved physical and chemical properties especially of anisotropic materials. In the case of FePt, th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b219644ee3e642da872c28e94211800d
Autor:
Horio, Yoshimi
Publikováno v:
大同大学紀要. 56:1-8
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::62d853645f0836d3904f690ad706993e
https://daido.repo.nii.ac.jp/records/114
https://daido.repo.nii.ac.jp/records/114
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hassanen, Ahmed
In this thesis, the effect of surfactants (Bi /Sb) on GaAs(111) is explored, particularly in regards to modifying the surface morphology and growth kinetics. Both molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) techn
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/11375/26918
