Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"reflectance anisotropy spectroscopy (RAS)"'
Autor:
Guilherme Sombrio, Emerson Oliveira, Johannes Strassner, Johannes Richter, Christoph Doering, Henning Fouckhardt
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 5, p 502 (2021)
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS), which was originally invented to monitor epitaxial growth, can—as we have previously shown—also be used to monitor the reactive ion etching of III/V semiconductor samples in situ and in real time, as lon
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/384a1b5e0ce349f58bc05d173e6e0965
Autor:
Ann-Kathrin Kleinschmidt, Lars Barzen, Johannes Strassner, Christoph Doering, Henning Fouckhardt, Wolfgang Bock, Michael Wahl, Michael Kopnarski
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 7, Iss 1, Pp 1783-1793 (2016)
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) equipment is applied to monitor dry-etch processes (here specifically reactive ion etching (RIE)) of monocrystalline multilayered III–V semiconductors in situ. The related accuracy of etch depth control is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/08c4ab3abe1f4c8092f9d3d388b5ce0c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Emerson Oliveira, Henning Fouckhardt, Christoph Doering, Johannes Strassner, Johannes M. Richter, Guilherme Sombrio
Publikováno v:
Micromachines
Volume 12
Issue 5
Micromachines, Vol 12, Iss 502, p 502 (2021)
Volume 12
Issue 5
Micromachines, Vol 12, Iss 502, p 502 (2021)
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS), which was originally invented to monitor epitaxial growth, can—as we have previously shown—also be used to monitor the reactive ion etching of III/V semiconductor samples in situ and in real time, as lon
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter. 16:S4393-S4402
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) has recently been used to monitor in situ and in real time the growth of thin organic layers in ultra high vacuum (UHV) (Goletti et al 2003 Appl. Phys. Lett. 83 4146). In this paper, after a short discussion
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter. 16:S4289-S4300
The experimental results of surface differential reflectivity and reflectance anisotropy spectroscopy show that in Si(111)-2 × 1, Ge(111)-2 × 1 and GaAs(001)-2 × 4 a sum rule for the imaginary part of the (surface) dielectric function is verified
Autor:
Lu, Sheng-wei
Reflectance anisotropy spectroscopy is a non-contact technique for surface detection. which means through the optical reflection from surface of the substrate measured. Because of its high sensitivity, RAS is used for in real-time control of semicond