Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"reference schemes"'
Autor:
Савина Ирина Станиславовна
Publikováno v:
Vestnik Tomskogo Gosudarstvennogo Pedagogičeskogo Universiteta, Iss 5, Pp 138-146 (2024)
В связи с переходом на новые образовательные стандарты происходит поиск эффективных методов и приемов обучения, формирующих ряд компет
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b31aa370dac647c8955379e797240221
Autor:
Donglin Zhang, Bo Peng, Yulin Zhao, Zhongze Han, Qiao Hu, Xuanzhi Liu, Yongkang Han, Honghu Yang, Jinhui Cheng, Qingting Ding, Haijun Jiang, Jianguo Yang, Hangbing Lv
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 8, p 913 (2021)
Resistive random access memory (RRAM) is one of the most promising new nonvolatile memories because of its excellent properties. Moreover, due to fast read speed and low work voltage, it is suitable for seldom-write frequent-read applications. Howeve
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0791061855f14b41b4be7315658220b4
Publikováno v:
Frontiers in Behavioral Neuroscience, Vol 12 (2018)
Sensor-level functional connectivity topography (sFCT) contributes significantly to our understanding of brain networks. sFCT can be constructed using either electroencephalography (EEG) or magnetoencephalography (MEG). Here, we compared sFCT within
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3e39e6677936410aab1a281467fdcecd
В статье рассматриваются методические особенности использования скрайбинга на уроках географии с целью активизации логического мышле
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ad8a204d7c6a7cf52cbe7f468500a5b2
Autor:
Qiao Hu, Bo Peng, Haijun Jiang, Hangbing Lv, Donglin Zhang, Jianhua Yang, Zhongze Han, Yulin Zhao, Qingting Ding, Honghu Yang, Xuanzhi Liu, Jinhui Cheng, Yongkang Han
Publikováno v:
Micromachines
Micromachines, Vol 12, Iss 913, p 913 (2021)
Micromachines, Vol 12, Iss 913, p 913 (2021)
Resistive random access memory (RRAM) is one of the most promising new nonvolatile memories because of its excellent properties. Moreover, due to fast read speed and low work voltage, it is suitable for seldom-write frequent-read applications. Howeve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b39fb4115016a159dfd6fc5b39a7cf0c
https://doi.org/10.3390/mi12080913
https://doi.org/10.3390/mi12080913
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.