Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"rectifying gate contact"'
Autor:
Maghnia Mattalah, Brahim Benbakhti, Nour Eddine Bourzgui, Hassane Ouazzani Chahdi, J.-C. Gerbedoen, Abdelatif Jaouad, Ali Soltani
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nanotechnology
IEEE Transactions on Nanotechnology, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 19, pp.682-688. ⟨10.1109/TNANO.2020.3019916⟩
IEEE Transactions on Nanotechnology, 2020, 19, pp.682-688. ⟨10.1109/TNANO.2020.3019916⟩
IEEE Transactions on Nanotechnology, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 19, pp.682-688. ⟨10.1109/TNANO.2020.3019916⟩
IEEE Transactions on Nanotechnology, 2020, 19, pp.682-688. ⟨10.1109/TNANO.2020.3019916⟩
Rectifying Titanium Nitride (TiN) gate contact technology is developed for AlGaN $/$ GaN based micro and nanometer HEMTs. A high compressive strain occurring in thinner TiN films (ranging from 5 nm to 60 nm), deposited by sputtering, leads to a reduc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bc95025a6b77e9e7dde36444d3d987a0
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03322826
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03322826
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.