Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"reconfigurable absorber"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 3914-3925 (2023)
Conventional plasma absorbers are challenging to obtain high electron density and sizeable spatial scale for effective absorption while meeting the applied requirements of low profile and low power consumption. Although the frequency selective surfac
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/80355698c5f44a19bf60e1e7b39c5d59
Autor:
Toktam Aghaee, Ali A. Orouji
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 16, Iss , Pp 102855- (2020)
Using dual bias for a single graphene layer a multi-layer THz absorber is proposed. An exclusive circuit representation is derived and a two-layer structure is investigated as a reconfigurable multi-narrow band absorber. In order to optimize bias val
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ef4cae94aecd4ab1b3fb1510c8c2e855
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 8, Iss 10, p 834 (2018)
We propose and numerically demonstrate two novel terahertz absorbers made up of periodic single- and double-layer decussate graphene ribbon arrays. The simulated results show that the proposed absorbers have narrowband near-unity terahertz absorption
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/23a2a05800ff4c829d664240a7152745
Publikováno v:
Sensors, Vol 18, Iss 10, p 3506 (2018)
In this study, we propose a thermal frequency reconfigurable electromagnetic absorber using germanium telluride (GeTe) phase change material. Thermally-induced phase transition of GeTe from an amorphous high-resistive state to a crystalline low-resis
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/62e746be82bb43a58d995ad118e24ff4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.