Zobrazeno 1 - 10
of 25 421
pro vyhledávání: '"random access memory (RAM)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
A complete 16-bit all-optical RAM bank capable of storing 4×4-bit WDM-formatted optical data words at a 20Gb/s memory-throughput is experimentally presented for the first time, using sixteen 5Gb/s monolithic InP Flip-Flops and all-passive Row/Column
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::48b41013a86b4e6a199a259573023d4d
https://doi.org/10.1364/ofc.2022.m1i.1
https://doi.org/10.1364/ofc.2022.m1i.1
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kwon, W.
Publikováno v:
In Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology 2014:415-433
Publikováno v:
Optics Letters. 44:1821
Optical random access memories (RAMs) have been conceived as high-bandwidth alternatives of their electronic counterparts, raising expectations for ultra-fast operation that can resolve the ns-long electronic RAM access bottleneck. However, experimen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f71b215f14fea62590d7df8ebad48063
https://doi.org/10.1364/ol.44.001821
https://doi.org/10.1364/ol.44.001821
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jiang, Haisong, Bastawrous, Hany Ayad, Saikaku, Hirotaka, Tahara, Yuichiro, Hamamoto, Kiichi, Matsuo, Shinji
Publikováno v:
九州大学大学院総合理工学報告. 31(1):1-6
A novel principle of active multi-mode-ingerferometer (MMI) bi-stable laser diode (BLD), utilizing differnt lateral modes, has been proposed and demonstrated for optical random access memory (RAM) application. The two different propagation modes real
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::da0a82d7470e81a07272ec815b9bd2e6
http://hdl.handle.net/2324/16409
http://hdl.handle.net/2324/16409