Zobrazeno 1 - 10
of 691
pro vyhledávání: '"random access memories"'
Autor:
Atif Jan, Stephanie A. Fraser, Taehwan Moon, Yun Seong Lee, Hagyoul Bae, Hyun Jae Lee, Duk‐Hyun Choe, Maximilian T. Becker, Judith L. MacManus‐Driscoll, Jinseong Heo, Giuliana Di Martino
Publikováno v:
Small Science, Vol 4, Iss 11, Pp n/a-n/a (2024)
Ferroelectric HfO2‐based films incorporated in nonvolatile memory devices offer a low‐energy, high‐speed alternative to conventional memory systems. Oxygen vacancies have been rigorously cited in literature to be pivotal in stabilizing the pola
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/37d2306da33842e6a1d3cadab241fffe
Autor:
Hyeok Yun, Hyundong Jang, Seunghwan Lee, Junjong Lee, Kyeongrae Cho, Seungjoon Eom, Soomin Kim, Choong‐Ki Kim, Hong‐Chul Byun, Seongjoo Han, Min‐Soo Yoo, Rock‐Hyun Baek
Publikováno v:
Advanced Intelligent Systems, Vol 6, Iss 10, Pp n/a-n/a (2024)
Artificial intelligence (AI) is increasingly used to solve multi‐objective problems and reduce the turnaround times of semiconductor processes. However, only brief AI explanations are available for process/device/circuit engineers to provide holist
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/91aef74518cb42309f1ee6a2d0f2554b
Autor:
Gunhoo Woo, Jinill Cho, Heejung Yeom, Min Young Yoon, Geon Woong Eom, Muyoung Kim, Jihun Mun, Hyo Chang Lee, Hyeong-U Kim, Hocheon Yoo, Taesung Kim
Publikováno v:
Small Science, Vol 4, Iss 2, Pp n/a-n/a (2024)
In the era of big data, negative differential resistance (NDR) devices have attracted significant attention as a means of handling massive amounts of information. While 2D materials have been used to achieve NDR behavior, their intrinsic material cha
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7525d3017bdf4b7b99c35b3e0a53856d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Eduardo Esmanhotto, Tifenn Hirtzlin, Djohan Bonnet, Niccolo Castellani, Jean-Michel Portal, Damien Querlioz, Elisa Vianello
Publikováno v:
Advanced Intelligent Systems, Vol 4, Iss 11, Pp n/a-n/a (2022)
Crossbars of resistive memories, or memristors, provide a road to reduce the energy consumption of artificial neural networks, by naturally implementing multiply accumulate operations, their most basic calculations. However, a major challenge of impl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c13d235141a1495c867272b10e827af5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
InfoMat, Vol 3, Iss 3, Pp 293-315 (2021)
Abstract Lead halide perovskites have attracted increasing attention in photovoltaic devices, light‐emitting diodes, photodetectors, and other fields due to their excellent properties. Besides optoelectronic devices, growing numbers of studies have
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f233d9c8392044b79075236fa030ae97