Optimization of Ternary InxGa1-xN Quantum Wells on GaN Microdisks for Full-Color GaN Micro-LEDs

Autor: Yu-Chung Lin, Ikai Lo, Cheng-Da Tsai, Ying-Chieh Wang, Hui-Chun Huang, Chu-An Li, Mitch M. C. Chou, Ting-Chang Chang

Publikováno v: Nanomaterials, Vol 13, Iss 13, p 1922 (2023)

Red, green, and blue light InxGa1−xN multiple quantum wells have been grown on GaN/γ-LiAlO2 microdisk substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. We established a mechanism to optimize the self-assembly growth with ball-stick model for I

Externí odkaz: https://doaj.org/article/be6cb9ba09b2408092edfacd4be47057

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Internal quantum efficiency of III-nitride quantum dot superlattices grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Autor: Eva Monroy, Y. Kotsar, Th. Kehagias, P. K. Kandaswamy, Ph. Komninou, A. Das, T. Koukoula, Ž. Gačević, Jörg Teubert

Publikováno v: Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, 2011, Vol. 109, No. 10
Archivo Digital UPM
Universidad Politécnica de Madrid
Journal of Applied Physics, 2011, 109(10), Article 103501; doi:10.1063/1.3590151

We present a study of the optical properties of GaN/AlN and InGaN/GaN quantum dot (QD) superlattices grown via plasma-assisted molecular-beam epitaxy, as compared to their quantum well (QW) counterparts. The three-dimensional/two-dimensional nature o

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f9d53db18ff32e1ed20da4894bcacb86

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.