Zobrazeno 1 - 10
of 121
pro vyhledávání: '"quanta image sensor"'
Autor:
Eric R. Fossum
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 269-274 (2022)
Estimation of the analog read noise level and quantizer threshold level to within a few hundredths of an electron can be obtained by measuring the output bit density, D, of a single-bit quanta image sensor (1bQIS) as a function of quanta exposure, H.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0592a006f68e4510b23caff134d2579a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Sensors, Vol 22, Iss 7, p 2578 (2022)
A new readout architecture for single-bit quanta image sensor (QIS) consisting of a capacitive transimpedance amplifier (CTIA) before a 1-bit quantizer to improve the threshold uniformity of the readout cluster is proposed in this paper. The 1-bit qu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/105c728646854b8aaf3012cec274ed9d
Autor:
Jiaju Ma, Eric R. Fossum
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 1, Pp 69-78 (2017)
A novel quanta image sensor (QIS) jot device with a CMOS compatible junction-field effect transistor (JFET) source follower (SF) is introduced. The device is proposed to further reduce the read noise of QIS jots and ultimately realize a read noise of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/85b9dd2ce0da4f2abd55fb6f6764bf9b
Autor:
Eric R. Fossum
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 4, Iss 3, Pp 136-143 (2016)
Photon or photoelectron counting error (bit error) rates are determined for single-bit and multi-bit quanta image sensors (QISs). The results are also applicable to CMOS image sensors with deep sub-electron read noise. The effects of read noise, gain
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/84ef8bb6f1404f1e8e0095dc78c05db4
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 4, Iss 2, Pp 83-89 (2016)
Characterization of a 1 μm-pitch, four-way shared readout quanta image sensor jot device is reported. The jot device achieved 0.48e- r.m.s. read noise with 230 μV/econversion gain. Quantum efficiency, dark current, and lag results are discussed. Cr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2bc6a14f5fe948199e86ee36e00654f1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jiaju Ma, Eric R. Fossum
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 3, Iss 2, Pp 73-77 (2015)
A new photodetector designed for Quanta image sensor application is proposed. The photodetector is a backside-illuminated, buried photodiode with a vertically integrated pump and transfer gate and a distal floating diffusion to reduce parasitic capac
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/266fbf471afe4157a483f5ae66e5280c
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 3, Iss 6, Pp 472-480 (2015)
Characterization of quanta image sensor pixels with deep sub-electron read noise is reported. Pixels with conversion gain of $423\mu \text{V}$ /e- and read noise as low as 0.22e- r.m.s. were measured. Dark current is 0.1e-/s at room temperature, and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a84f78d1b52d44b79dfdc4636ed0ecf9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.