Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"power field‐effect transistors"'
Publikováno v:
IET Power Electronics, Vol 16, Iss 14, Pp 2369-2377 (2023)
Abstract A novel 1440‐V 4H‐SiC accumulation mode MOSFET (ACCUFET) with ultra‐low specific on‐resistance and improved reverse recovery performance is proposed in this article. As for the proposed SiC ACCUFET, the channel region can be complete
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5fb85b50ffde4452b04d5b9c012de70e
Autor:
Lukashin, V.1, Pashkovskii, A.1, Zhuravlev, K.2 zhur@thermo.isp.nsc.ru, Toropov, A.2, Lapin, V.1, Golant, E.1, Kapralova, A.1
Publikováno v:
Semiconductors. May2014, Vol. 48 Issue 5, p666-674. 9p.
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Mar2017, Vol. 214 Issue 3, pn/a-N.PAG. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Technical Physics; Feb2016, Vol. 61 Issue 2, p187-193, 7p
To meet the requirements of higher current ratings and lower thermal impedances, paralleling power field-effect transistor (FET) discretes or modules is often a cost-effective or even an unavoidable solution. While paralleling FETs allows for a signi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a468e8c9a859d8b016fe11bdf863c0db
Autor:
Madisetti, Shailesh, Tokranov, Vadim, Greene, Andrew, Yakimov, Michael, Hirayama, Makoto, Oktyabrsky, Serge, Bentley, Steven, Jacob, Ajey P.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Sep2014, Vol. 32 Issue 5, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Puneet Srivastava, Stefaan Decoutere, M. Van Hove, Kai Cheng, Jordi Everts, J. Das, Maarten Leys, J. Van den Keybus, Denis Marcon, Gustaaf Borghs, Domenica Visalli, Johan Driesen
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters, 32(10), 1370-1372. Institute of Electrical and Electronics Engineers
III-Nitride materials are very promising to be used in next-generation high-frequency power switching applications. In this letter, we demonstrate the performance of normally off AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure FETs (DHFETs) using a boost-conv
Autor:
S. P. Gladyshev, I. S. Okrainskaya
Power field effect transistors are used and will be used in almost all automotive systems. Control of field effect power transistors requires isolated 5V control signals and isolated 12V DC sources. The first problem is resolved by using optical pair
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::07aa27e6be44e718e0985092b2e91d10
http://dspace.susu.ru/handle/0001.74/20582
http://dspace.susu.ru/handle/0001.74/20582