Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"power device reliability"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 4, Pp 978-986 (2023)
This work proposes a deep learning-based model for predicting the lifetime of power devices subjected to power cycling. To this purpose, a neural network based on bidirectional long short-term memory is adopted. The neural network is trained with exp
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e61f5ea39fbc47aab97811c0f7b34ec5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fabio Principato, Giuseppe Allegra, Corrado Cappello, Olivier Crepel, Nicola Nicosia, Salvatore D′Arrigo, Vincenzo Cantarella, Alessandro Di Mauro, Leonardo Abbene, Marcello Mirabello, Francesco Pintacuda
Publikováno v:
Sensors, Vol 21, Iss 16, p 5627 (2021)
High temperature reverse-bias (HTRB), High temperature gate-bias (HTGB) tests and electrical DC characterization were performed on planar-SiC power MOSFETs which survived to accelerated neutron irradiation tests carried out at ChipIr-ISIS (Didcot, UK
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d75b44dcd93c44b88ed42af48a3d7339
Publikováno v:
Sensors, Vol 20, Iss 11, p 3021 (2020)
Neutron test campaigns on silicon (Si) and silicon carbide (SiC) power MOSFETs and IGBTs were conducted at the TRIGA (Training, Research, Isotopes, General Atomics) Mark II (Pavia, Italy) nuclear reactor and ChipIr-ISIS Neutron and Muon Source (Didco
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b7488c3ffa7a4908bfc816dae84a6f06
Autor:
A. Krakovinsky, Louis Gerrer, R. Modica, Gerard Ghibaudo, Jérôme Biscarrat, J. Cluzel, William Vandendaele, Marie-Anne Jaud, Gaudenzio Meneghesso, F. Gaillard, Steve W. Martin, Xavier Garros, A. G. Viey, R. Gwoziecki, Marc Plissonnier, Ferdinando Iucolano, Matteo Meneghini
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:2017-2024
In this article, threshold-voltage VTH instabilities under positive gate voltage stress VGStress in GaN-on-Si devices are thoroughly investigated. Measurement-stress-measurement pBTI technique using ultrafast VG ramp was applied in this study. PBTI t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b63c9aa645b49484cd7c1c7c1bdf3dba
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3050127
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3050127
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F. Richardeau, Y. Barazi
This paper proposes SiC MOSFET gate ageing-laws under repetitive short-circuit stress. Based on analytical studies, physical forms and preconditioning data, numerical fitting based on stress variables T j, T Pulse Gate Damage % and E sc is propose
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4d15619e6034d2b2dcd6b7c1389ca292
https://hal.science/hal-03789820
https://hal.science/hal-03789820
Autor:
Nicola Nicosia, O. Crepel, Vincenzo Cantarella, Salvatore D′Arrigo, Corrado Cappello, Fabio Principato, Francesco Pintacuda, Marcello Mirabello, Leonardo Abbene, Giuseppe Allegra, Alessandro Di Mauro
Publikováno v:
Sensors (Basel, Switzerland)
Sensors, Vol 21, Iss 5627, p 5627 (2021)
Sensors
Volume 21
Issue 16
Sensors, Vol 21, Iss 5627, p 5627 (2021)
Sensors
Volume 21
Issue 16
High temperature reverse-bias (HTRB), High temperature gate-bias (HTGB) tests and electrical DC characterization were performed on planar-SiC power MOSFETs which survived to accelerated neutron irradiation tests carried out at ChipIr-ISIS (Didcot, UK
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9f0037fc5da6b876e4ac64c39109980e
https://doi.org/10.3390/s21165627
https://doi.org/10.3390/s21165627
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.