Zobrazeno 1 - 10
of 176
pro vyhledávání: '"power back off"'
Autor:
Akram Sheikhi
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 7974-7986 (2024)
This paper provides a comprehensive overview of the challenges and considerations associated with the design, implementation, and optimization of Load Modulated Balanced Amplifiers (LMBAs). Various research trends, all directed toward enhancing the b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/31c4ca0887844b1d8f7e5985fcbbf45b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Dianxin kexue, Vol 38, Pp 167-174 (2022)
Based on the background of low carbon consumption and the network energy saving topic, deep investigation for the network energy occupancy ratio was performed, and finally the target was set on the energy reduction for the antenna unit of base statio
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/44430839492447a1aaffebd99d0cd233
Autor:
Yifei Chen, Woojin Choi, Jaekyung Shin, Hyeongjin Jeon, Sooncheol Bae, Young Chan Choi, Seungmin Woo, Young Yun Woo, Hansik Oh, Kang-Yoon Lee, Keum Cheol Hwang, Youngoo Yang
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 77487-77497 (2022)
This paper presents a generalized expression of the modified load networks (MLNs) for Doherty power amplifiers (DPAs) with an extended output power back-off (OBO) range. Based on the analysis using this new expression, a new circuit structure general
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cf05fa74105c4fc1b4898f927811ee14
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 6, p 1205 (2023)
A comparison between a fully integrated Doherty power amplifier (DPA) and outphasing power amplifier (OPA) for fifth Generation (5G) wireless communications is presented in this paper. Both amplifiers are integrated using pHEMT transistors from the O
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dd39fa86327a4d6d86dd668af35da048
Autor:
Jihoon Kim
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 113007-113016 (2021)
A power-reconfigurable distributed amplifier (DA) is implemented using a 130 nm metamorphic high-electron mobility transistor (mHEMT) process. Using a mHEMT process with excellent high-frequency characteristics, output power and efficiency at high fr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b5006c3b829b4340b89b1e9dbdd16a22
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 121561-121569 (2021)
In the massive Machine Type Communications (mMTC) scenario of the 5G network, a huge number of devices communicate with each other. The massive access requests will cause frequent access collisions, which will reduce the efficiency of Random Access (
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/aa5984abdedc4800a92435e9334a6b6c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.