Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"power FOM"'
Autor:
Ru Xu, Peng Chen, Menghan Liu, Jing Zhou, Yunfei Yang, Yimeng Li, Cheng Ge, Haocheng Peng, Bin Liu, Dunjun Chen, Zili Xie, Rong Zhang, Youdou Zheng
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 316-320 (2020)
In this paper, we demonstrate high-performance quasi-vertical GaN-on-Sapphire Schottky barrier diodes (SBD) with a reverse GaN p-n junction termination (RPN). The SBD has a current output of 1 kA/cm2 at $V_{F}=2.5$ V, a low $V_{on}$ of 0.66 V ± 0.01
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0db05b613b094be8ae88b2bfb892336f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dunjun Chen, Menghan Liu, Ru Xu, Haocheng Peng, Yimeng Li, Yunfei Yang, Bin Liu, Jing Zhou, Rong Zhang, Cheng Ge, Zili Xie, Youdou Zheng, Peng Chen
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 316-320 (2020)
In this paper, we demonstrate high-performance quasi-vertical GaN-on-Sapphire Schottky barrier diodes (SBD) with a reverse GaN p-n junction termination (RPN). The SBD has a current output of 1 kA/cm2 at $V_{F}=2.5$ V, a low $V_{on}$ of 0.66 V ± 0.01
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f54f819f86a95ff3016d5108b9ef49e9
https://ieeexplore.ieee.org/document/9044294/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9044294/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.