Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"polycrystallization"'
Publikováno v:
Philosophical Transactions: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 1999 Jun . 357(1756), 1683-1705.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/55207
Autor:
Ray Duffy, Scott Monaghan, Mingqing Wang, Kwang-Leong Choy, Nazar Farid, Phil Rumsby, Paul K. Hurley, Gerard M. O'Connor, Adam Brunton
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces
A new process to crystallize amorphous silicon without melting and the generation of excessive heating of nearby components is presented. We propose the addition of a molybdenum layer to improve the quality of the laser-induced crystallization over t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9dace12408464b8caaae6007b1a6a524
https://doi.org/10.1021/acsami.1c07083
https://doi.org/10.1021/acsami.1c07083
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Miyata, Hiroaki, Ogata, Yasuyuki, Adachi, Satoshi, Tsuru, Tetsuya, Muramatsu, Yuji, Kinoshita, Kyoichi, Odawara, Osamu, Yoda, Shinichi
Publikováno v:
宇宙航空研究開発機構特別資料 = JAXA Special Publication: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous Crystals. :13-20
In the growth of In(0.3)Ga(0.7)As single crystals, polycrystallization at the initial interface with lattice-mismatched seeds is a major problem because no homogeneous In(0.3)Ga(0.7)As seed crystals have been obtained and usually GaAs crystals are us
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::77c3e0ba36bfea53fa2e95856c48e7f9
http://id.nii.ac.jp/1696/00006085/
http://id.nii.ac.jp/1696/00006085/
Autor:
Islam, M. R., Verma, P., Yamada, Masayoshi, Kodama, Shigeo, Hanaue, Yasuhiro, Kinoshita, Kyoichi
Publikováno v:
宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs)-Growth of Homogeneous Crystals = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (I[lc]nG[lc]aA[lc]s)-Growth of Homogeneous Crystals. :61-71
Micro-Raman scattering and photoluminescence (PL) studies were performed to understand the polycrystallization mechanism in bulk In(x)Ga(1-x)As crystal grown by the two-step multi-component zone melting (MCZM) method. Raman studies were also performe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::8b1cfd2ee62639ad69757afa4d912bb7
http://id.nii.ac.jp/1696/00042838/
http://id.nii.ac.jp/1696/00042838/
Publikováno v:
宇宙航空研究開発機構研究開発報告 = JAXA Research and Development Report.
For growing compositionally homogeneous alloy crystals, mass balance between segregation and transportation at the growth interface is required, that is, just the same amount of rejected solute by segregation should be transported away from the inter
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::220c14ba553e065ecbde72c7a3fbfc03
http://id.nii.ac.jp/1696/00002356/
http://id.nii.ac.jp/1696/00002356/